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プロファイル
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氏名・所属
横山 新(よこやま しん)
yokoyama@sxsys.hiroshima-u.ac.jp

広島大学
Research Center for Nano-devices and Systems
教授
略歴
1976. 3 . 広島大学工学部電子工学科卒業
1978. 3 . 広島大学大学院工学研究科電気工学専攻修士課程修了
(工学修士)
1981. 3 . 広島大学大学院工学研究科材料工学専攻博士課程後期修了
(工学博士)
1982. 4.
~1983.3 .
米国IBMワトソン研究センター 客員研究員
1984. 11 . 筑波大学物質工学系 講師
1989. 8 . 筑波大学物質工学系 助教授
1989. 11. 広島大学集積化システム研究センター 助教授
1994. 5 . 広島大学集積化システム研究センター 教授
1998. 5 . 組織改編に伴い広島大学ナノデバイス・システム研究センター 教授
1998.5. 広島大学大学院先端物質科学研究科 兼担
所属学協会 応用物理学会、電子情報通信学会
世界水準の成果 シリコン窒化膜の原子層成長技術の開発とデバイス応用
(招待講演: 4th International Conference on Electronic Materials,
1998, Appl. Phys. Lett.)
光配線集積回路製作技術の研究
(招待講演: 1995 Intern. Res. Workshop on Future Information Processing Tech.)
産業界に貢献する研究成果 クリーン化機能を付与したウェハボックスの開発と性能評価
産官学連携 1994年度日米共同研究日本側代表「光・電子集積回路の設計・
製作に関する日米共同研究」
主な発表論文名
1. H. Goto, K. Shibahara and S. Yokoyama, "Atomic Layer Controlled Deposition of Silicon Nitride with Self-limiting Mechanism": Applied Physics Letters 68, No. 23, pp. 3257-3259 (1996).
2.  S. Yokoyama, J. Oogi, D. Yui and M. Kawabe, "Low-Temperature Selective Growth of GaAs by Alternately Supplying Molecular Beam Epitaxy": J. Cryst. Growth 95, No. 1-4 pp. 32-34 (1989).
3. S. Yokoyama, Y. Yamakage and M. Hirose, "Laser-Induced Photochemical Etching of SiO2 Studied by X-Ray Photoelectron Spectroscopy": Appl. Phys. Lett. 47, No. 4 pp. 389-391 (1985).
4. S. Yokoyama, D.W. Dong, D.J. DiMaria and S.K. Lai, "Characterization of Plasma-Enhanced Chemically-Vapor-Deposited Silicon-Rich Silicon Dioxide/Thermal Silicon Dioxide Dual Dielectric System": J. Appl. Phys. 54, No. 12 pp. 7058-7065 (1983).
5. S. Yokoyama, M. Hirose and Y. Osaka, "Electron Spin Resonance in Discharge-Produced Silicon Nitride": Jpn. J. Appl. Phys. 20, No. 1 pp. L35-L37 (1981).
6. S. Yokoyama, N. Kajihara, M. Hirose, Y. Osaka, T. Yoshihara and H. Abe, "Characterization of Plasma-Deposited Silicon Nitride Films": J. Appl. Phys. 51, No. 10 pp. 5470-5474 (1980).
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