各種受賞者

新聞記事一覧

平成12年度　受賞者紹介

中国文化賞

廣瀬前センター長

センター長の廣瀬全孝教授は，平成12年度第57回中国文化賞を受賞しました。 この賞は，中国地方の学術や文化の専門分野で優れた功績をあげた人々に授与されます。 廣瀬教授は，1971年広島大学において半導体素子の研究を開始し，特にゲート絶縁膜の研究で多くの業績をあげています。 廣瀬教授は，早くから大学における集積回路技術の研究教育の重要性に着目し，1986年には本研究センターの全身である 「集積化システム研究センター」の設置にこぎつけるなど，大学における半導体研究の発展に尽くした功績が認められました。

日本エアロゾル学会井伊谷賞

吉野研究員，横山教授

吉野雄信研究員と横山新教授は，平成12年度エアロゾル科学・技術研究討論会において井伊谷賞を受賞しました。 この賞は同大会特別セッションにおいて，重要且つユニークな研究に対して与えられる物です。 吉野研究員らが初めて見いだした，可視光線の照射によってp型シリコン基板の自然酸化が 促進される現象の報告に対してこの賞が授与されました。

応用物理学会論文賞

吉川公麿教授

吉川公麿教授の「ULSIの微細化と多層配線技術への課題」（応用物理第68巻第11号，1999）が平成12年度応用物理学会論文賞を受賞しました。 この論文は，ULSIの微細化における多層配線技術の役割と必然性について統一的に説明しています。 ULSIの高速化のためには配線の逆スケーリング，すなわち配線寸法の拡大化とともに多層配線の層数の増大が必要となることを示しました。 このためには新しいプロセス技術としてCu配線，低誘電率膜，平坦化技術が必須となることを示しました。 本論文は専門家のみならず専門外の読者にもわかりやすく解説している点が評価されました。

空気清浄協会会長奨励賞

横山教授，原(M2)，廣瀬教授

横山新教授と廣瀬全孝教授は，平成12年度空気清浄協会会長奨励賞を受賞しました。 最先端半導体の製造環境では，微粒子のほかにガス状汚染物質が問題となっています。 本賞は，微粒子とガス状汚染物質の同時除去が可能な，「UV/光電子・光触媒付きプラスチックウェハボックス」 を開発し，実際に電子デバイス（MOSキャパシタ）を試作し，その有効性を確認した点が評価されました。