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15th COE Seminar

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Hiroshima Univ. Symposium
COE Seminar
15th

COE Workshop

COE Technical Meeting


　
日時： 平成18年11月20日 (月)
10：30−12：00
場所： 先端研　講義室　401Ｎ
講演題目： 「半導体シリコンウェーハ製造技術」
講演者： 毛利敬史 氏(2005.3広大応化修了)、
森良弘 氏 (シルトロニック・ジャパン(株))
講演タイトル： 半導体シリコンウェーハ製造技術
概要： 半導体シリコンウェーハとは単結晶シリコンインゴットをスライスして鏡面研磨した円板で、LSIの基板として使われます。外見上は単なる丸い鏡のように見えますが、その製造には信じられないような厳しいスペックが求められます。例えば表面の清浄度については100nmサイズのゴミを10個/ウェーハのレベルまで減らさねばなりません。これは野球のグラウンドをぴかぴかに磨いてその上に0.05mmのホコリが10個しかないという状態に相当します。このような高品質の製品を安定に製造するために高度な技術が必要であることは容易に想像がつくかと思います。本講演では、シリコンウェーハの製造および品質評価に用いられる様々な最先端技術について解説します

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