COEメンバー

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プロファイル

氏名・所属

角南　英夫■（すなみ　ひでお）
sunami

sxsys.hiroshima-u.ac.jp

■広島大学
■Research Center for Nano-devices and Systems
■教授

略歴

1969	東北大学電子工学専攻修士課程修了
1969-1998■	日立中央研究所勤務（うち90-96年、半導体事業部勤務）主にMOSLSIのプロセス・デバイス、特にDRAMの研究に従事
1973-1974	米国スタンフォード大学客員研究員
1998.10.	広島大学ナノデバイス・システム研究センター教授現在に至る

所属学協会

応用物理学会（元理事）、電子情報通信学会、IEEE (Fellow)

世界水準の成果

・DRAMダブルポリSiゲート構造
・トレンチキャパシタDRAMセルの発明
1985年　IEEE Paul Rappaport Award受賞
1991年　IEEE Cledo Brunetti賞受賞
1998年　IEEE Fellow
1998年　東京都発明功労者授賞

先駆的な研究成果

COE課題に関連するものとして三次元MOSデバイスの発明
日本特許■	13443866 (75年6月)
米国特許	4937641 (83年9月) 13443866 (83年12月)

産官学連携

次世代半導体材料技術研究組合CASMAT、技術顧問

主な発表論文名

1.	H. Sunami, Y. Itoh, and K. Satoh, "Stress and Thermal Expansion Coefficient of Chemica1-Vapor-Deposited Glass Films," J. Appl. Phys. Vol. 41, No. 13, pp. 5115-5117, 1970. (27回)
2.	H. Sunami, Kure, N. Hashimoto, K. Itoh, T. Toyabe, and S. Asai, "A Corrugated Capacitor Cell (CCC) for Megabit Dynamic MOS Memories," IEDM Tech. Dig., pp. 806-808, 1982. (59回)
3.	H. Sunami, T. Kure, N. Hashimoto, T. Toyabe, and S. Asai, "A Corrugated Capacitor Cell (CCC) for Megabit Dynamic MOS Memories," IEEE Elec. Dev. Lett., EDL-4, pp. 90-91, 1983.: IEEE Paul Rappaport Award (30回)
4.	H. Sunami, T. Kure, N. Hashimoto, T. Toyabe, and S. Asai, "A Corrugated Capacitor Cell (CCC)," IEEE Trans. Elec. Devices, ED-31, pp. 746-753, 1984. (41回)
5.	K. Itoh, R. Hori, J. Etoh, S. Asai, N. Hashimoto, K. Yagi, and H. Sunami, "An Experimental 1Mbit DRAM with On-Chip Voltage Limiter," ISSCC, pp. 282-283, 1984. (38回)
	(citation number at Dec. 2000 on database of National Institute of Informatics)

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