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プロファイル |
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| 氏名・所属 |
吉川 公麿■（きっかわ たかまろ）
kikkawa sxsys.hiroshima-u.ac.jp
■広島大学
■Research Center for Nano-devices and Systems
■教授 |
| 略歴 |
| [学歴] |
| 1974 |
静岡大学工学部電子工学科卒業 |
| 1976 |
同大学院工学研究科電子工学専攻修士課程修了 |
| 1992 |
東京工業大学工学博士（電子システム）授与 |
[職歴] |
| 1976 |
日本電気株式会社入社 |
| 1983 |
マサチューセッツ工科大学客員研究員 |
| 1988 |
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所課長 |
| 1994 |
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所部長 |
| 1998 |
広島大学ナノデバイス ･システム研究センター教授、現在に至る |
| 2001 |
独立行政法人産業技術総合研究所主任研究員併任、現在に至る |
| 2001 |
半導体MIRAIプロジェクトLow-k材料配線技術グループリーダー、
現在に至る |
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| 所属学協会 |
The Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.（米国電気電子学会）、
Materials Research Society（米国材料科学会）、応用物理学会 |
| 世界水準の成果 |
サリサイド技術の開発実用化
・コバルトサリサイドCMOS (IEDM1996)
・チタンサリサイドCMOS (VLSI Symp1995) |
| 先駆的な研究成果 |
多層配線技術の開発
・感光性低誘電率層間絶縁膜 (IEDM2000)
・積層アルミニウム合金配線 (IEDM1991)
・アルミニウムダマシン配線 (IEDM 1992,93,94)
・チタン・窒化チタンCVDコンタクト (IEDM1994,95,96) |
| 産官学連携 |
半導体MIRAIプロジェクト: Low-kグループリーダ
産業技術総合研究所主任研究員併任 |
| 主な発表論文名 |
| 1. |
T. Kikkawa, N. Fujiwara, H. Yamada, S. Miyazaki, M. Hirose and F. Nishiyama, "Energy Band Structure of Ru/(Ba,Sr)TiO3 /Si Capacitor Deposited by Inductively-Coupled Plasma-Assisted Radio- Frequency-Magnetron Plasma Sputtering," Appl. Phys. Lett. Vol. 81, No. 15, (2002) pp.2821-2823. |
| 2. |
T. Kikkawa, T. Nagahara, and H. Matsuo, "Direct patterning of photosensitive low-dielectric-constant films using electron beam lithography", Appl. Phys. Lett. Vol. 78, No. 17 (2001) pp.2567-2569. |
| 3. |
S. Mukaigawa, T. Aoki, Y. Shimizu, and T. Kikkawa, "Measurement of Copper Drift in Methylsilsesquiazane-Methylsilsesquioxane Dielectric Films", Jpn. J. Appl. Phys. Part I, No.4B,
Vol. 39 (2000) pp.2189-2193. |
| 4. |
吉川公麿「多層配線技術とスケーリング」電子情報通信学会論文誌Ｃ vol.J83-C No.2
（電子情報通信学会、2000）pp.105-117 |
| 5. |
吉川公麿「ULSIの微細化と多層配線技術への課題」応用物理第68巻第11号（応用物理学会、1999）pp.1215-1225 |
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| 研究室ページ |
http://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/ |
| 個人ページ |
http://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/kikkawa/ |
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COEメンバー