2010年12月にJapanese Journal of Applied Physics (JJAP) に掲載された中島安理准教授のグループの下記の論文が、JJAP編集委員会が推薦する注目論文として"SPOTLIGHTS"論文に選ばれまし た。 

Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 121503
タイトル: Effect of an Ultrathin SiN Cap Layer on the Bias Temperature
Instability in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with
HfSiON Gate Stacks
著者: Shiyang Zhu, Shinya Takeue, Anri Nakajima

応用物理学会会員及びオンラインジャーナル利用登録者へのアラートメール「SPOTLIGHTS: Editors'Choice from APEX and JJAP」に論文情報を掲載しており、アブストラクトページへの直接リンクは下記に張っております。

[SPOTLIGHTS](English)
http://jjap.jsap.jp/spotlights/index.html