学長巻頭言
拠点リーダーメッセージ
COE概要
事業推進者
ワークショップ
業績
課題別成果報告
外部評価結果の概要
研究グループ別主要論文
課題別成果報告 -詳細-
SOI-MOSFETの回路シミュレーションモデルの開発 貞近倫夫、三浦道子
今日、半導体集積回路の大規模集積化のためのトランジスタの微細化が進め ているが、それに伴うMOSFET の性能の劣化が問題となってきている。この 問題を克服できるデバイスとしてSOI-MOSFET が期待されている。この報告 書ではSOI-MOSFETの回路シミュレーションモデルの開発について記述する。
一覧へ戻る
All Rights Reserved、 Copyright (C) 2003、 Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing、 Hiroshima University。