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外部評価の実施方法
　平成16年6月ー7月、本COEプロジェクトの中間評価を依頼し、外部評価を実施した。すでに詳
細な報告書は提出しているので、ここにはその概要を記載する。

評価結果の概要まとめ

外部評価に対応した施策
　評価結果については、外部評価委員より3つの研究領域の融合が不十分であり、またその具 体的なイメージが不明確とのご意見をいただいた。現状成果の目標到達度については、一部質 問の意味があいまいであったため、質疑回答が往復した部分もあったが、概ね順調に研究が進 んでいるとの評価をいただいた。
　また、産業界への貢献につきましては、「普通」から「十分大きい」という判定まで、評価委 員によって、また研究分野によって評価が分かれているが、平均的には、ほぼ「大きい」との 結果になっている。評価の差が大きかったのは、研究成果が出てから産業界に実際に貢献する までにかかる時間が、研究分野によって異なることや、評価委員によって、「貢献」に対する評 価基準が異なるためと考えらる。博士課程後期の学生に対する教育方法には、今ひとつ工夫が 必要との評価をいただいた。今後、個々に指摘された問題点をよく検討し、具体的な施策を講 じていきたい。
　この外部評価の結果を踏まえて、本COEプログラムが、情報化社会の中枢である半導体・回 路・システム技術の、我が国のみならず世界的な研究開発拠点となるよう努力を続けていく所 存であることを表明した。

まとめ
　本COEプログラムでは、「回路・システムアーキテクチャ」、「デバイスモデリング」および「ナノ デバイス・プロセス」の3つの研究領域を融合したユニークな研究目標を掲げて研究を遂行してきた。 過去2年間のCOEの補助により、多数の研究員を採用することができ、研究は大きく前進した。しか しながら、まだ、十分に融合した技術が創出されたとは言いがたいとの評価を頂いた。また、教育に 関しても、COE独自の工夫が必要とのご指摘を頂いた。その他、さまざまの項目で、たいへん有意義 なご評価を頂いた。これらの指摘事項に対して、適切な施策を講ずることにより、本研究拠点が、L SIの分野において世界をリードする研究拠点となるべく、今後とも努力を続ける所存である。