課題別成果報告 -詳細-

微細化基盤技術:ナノスケールMOSFETのプロセス・デバイス技術 芝原健太郎、細井卓治、 黒部憲一

　21世紀COE プロジェクトの一環として、微細化基盤技術を担当し、CMOS デバイ スの性能向上に必要なゲートスタック及び接合形成技術について研究を行ったた。ゲー トスタック関係では、現在のポリシリコンゲートを金属に置き換えるための仕事関数変調 を接合関係ではレーザアニールによる10nm 級極浅接合形成の研究を行った。