課題別成果報告 -詳細-

フルシリサイドゲートのためのNiSi形成反応のその場TEM観察細井卓治、芝原健太郎

　MOSFETのゲート電極材料には多結晶シリコン（poly-Si）が長年用いられてきたが、ゲート絶縁膜の薄膜化に伴い、ゲート空乏化やボロン突き抜けといった問題を回避するためにメタルゲートの導入が要求されている。その代表例にpoly-Siを完全にシリサイド化したNiフルシリサイドゲートがあり、シリサイド化前のpoly-Siに対する不純物添加により仕事関数が変調できるという大きな利点がある。アンチモンはNiフルシリサイドゲートの仕事関数を負方向へ大きく変調する一方、シリサイド化反応に対して最も強く影響することが指摘されている。本研究では、シリサイド形成反応及び不純物再分布の様子をTEM／EDXを用いてその場観察し、不純物添加の影響について調べた。