学長巻頭言
拠点リーダーメッセージ
COE概要
事業推進者
ワークショップ
業績
課題別成果報告
外部評価結果の概要
研究グループ別主要論文
課題別成果報告 -詳細-
極微細SOI立体MOSトランジスタの研究角南英夫、奥山 清、片山 朗、子林 景、松村俊平、吉川浩二
不断の微細化によってMOSトランジスタの性能は向上してきたが、短チャネル効 果に代表される微細化障害が動機になり、立体トランジスタの研究が行われるように なった。本研究では、この立体トランジスタを形成する要の技術開発を行った。それ らは、シリコン梁の形成、ゲート電極形成、低抵抗ソース・ドレイン形成技術などで ある。本報告ではこれらの概略を紹介する。
一覧へ戻る
All Rights Reserved、 Copyright (C) 2003、 Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing、 Hiroshima University。