課題別成果報告-詳細-

熱プラズマジェットを用いたミリ秒急速熱処理の半導体プロセス応用
東清一郎、宮崎誠一、村上秀樹

　半導体デバイス作製プロセスとして重要性が高まっているミリ秒急速熱処理に熱プラズマジェットを適用する新技術を提案した。ミリ秒時間分解能を有する非接触温度測定技術を開発し、急速熱処理による基板表面の加熱・冷却速度温度を10⁵K/sのオーダーで制御可能となった。本熱処理技術が非晶質Si膜の結晶化およびSiOx膜からのSiナノ結晶成長に適用可能であることを明らかにした。作製した多結晶Si膜を能動層に用いた薄膜トランジスタは電界効果移動度70 cm²/Vs、閾値電圧3.3Vの良好な電気特性を示し、本研究の急速熱処理が半導体プロセス応用技術として高い可能性を有することを実証した。