課題別成果報告-詳細-

微細MOSFETに必要な高信頼性ゲート絶縁膜の開発
中島安理

　微細MOSFETに必要な高信頼性ゲート絶縁膜の研究開発を行った。Si窒化膜や高誘電率ゲート絶縁膜の原子層成長(ALD)を用いた作製及びゲート絶縁膜の信頼性評価を通しての新しい知見の取得を行った。
　本COEプロジェクトにおける我々のグループの課題は、微細MOSFETに必要な高信頼性ゲート絶縁膜の研究開発である。本課題の達成のために、Si窒化膜や高誘電率ゲート絶縁膜の原子層成長ALD)を用いた作製及びゲート絶縁膜の信頼性評価を通しての新しい知見の取得を行った。前者においては、ALDSi窒化膜／SiO₂スタックゲート絶縁膜、ALDSi窒化膜ゲート絶縁膜、ALDSi窒化膜上にALD法により高誘電率酸化物をスタックしたゲート絶縁膜を作製した。また、近い将来の具体的な実用化を目指して、ALDSi窒化膜／SiO₂スタックゲート絶縁膜のDRAM用トランジスタへの適用の可能性も調べた。信頼性評価については、ALD法により作製したゲート絶縁膜、プラズマ窒化SiON膜ゲート絶縁膜及びSiO₂ゲート絶縁膜を対象として調べた。以下、個々の項目について詳細を述べる。